Theorie des Sperrschicht-Photoeffekts II

Abstract

Abstract Eine Beziehung zwischen Photospannung, Photostrom, Beleuchtungsstärke, Licht-frequenz, Temperatur, Sperrschicht-und Halbleiter-Eigenschaften wird abgeleitet. Daraus ergibt sich unter anderem: 1. Die Elektrode an der Sperrschicht wird bei Be-lichtung bei Überschußhalbleitern positiv, bei Defekthalbleitern negativ. - 2. Der Kurzschlußstrom ist der Beleuchtungsstärke proportional. - 3. Die Leerlaufspannung ist zunächst der Beleuchtungsstärke, später dem log derselben annähernd proportio-nal. Der Übergang erfolgt bei Leerlaufspannungen von der Größenordnung der Temperaturspannung (25 mV bei 20° C). - 4. Die Photokennlinie steht in engem Zusam-menhang mit der Dunkelkennlinie. - 5. Die spektrale Verteilung der Vorderwand-zellen ist von der Absorption im Halbleiter, der Dicke der Sperrschicht, der Randfeld-stärke und der Temperatur abhängig.