Abstract
Abstract Es wird auf Grund der Analogie Randschicht-Diode ein Gesetz für die statistischen Schwankungen in einem Halbleiter im statischen Fall aufgestellt. Aus dem statischen Ersatznetzwerk des Halbleiters wird das Rauschquellenersatzbild hergeleitet. Hieraus läßt sich in bekannter Weise das Schwankungsquadrat (Rauschspannungsquadrat) ab-leiten, wobei die Frage der Rauschtemperatur der Randschicht zunächst offen bleibt. Danach wird die aus Messungen an Dioden und Halbleitern gewonnene analytische Darstellung der Rauschtemperatur der Randschicht eingeführt und so ein praktisches Gesetz für das Rauschspannungsquadrat, d. h. die statistischen Schwankungen des Halbleiters aufgestellt.
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics
Cited by
5 articles.
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