Photoablösung von Elektronen bei Si- und NH2-

Abstract

Abstract Mit einer bei früheren Messungen1 erprobten Apparatur wurden die Untersuchungen über die Photoablösung von Elektronen bei stabilen negativen Ionen fortgesetzt. Für Photonenenergien zwischen 0,5 eV und 3,5 eV wurden Größe und Energieabhängigkeit des Wirkungsquerschnittes bei Si- und NH2- bestimmt. Si--Ionen wurden aus SiCl4 mit einer Stromstärke von 10-9 A erzeugt. Bei Si- hat der gemessene Wirkungsquerschnitt (Abb. 1) eine niederenergetische Schwelle bei einer korrigierten Photonenenergie von (0,56 ± 0,04) eV und einen zweiten Anstieg bei etwa 1,3 eV.