Die transversalen galvanomagnetischen Effekte in Halbleitern

Abstract

In Ergänzung zu einer neueren Arbeit von Whitesell und Johnsonl werden die transversalen galvanomagnetischen Effekte unter Überlagerung zweier Streumechanismen — Streuung an den thermischen Gitterwellen und an den ionisierten Störatomen — bei beliebigen magnetischen Feldstärken in Abhängigkeit von H, T und den Anteilen der beiden Streumechanismen diskutiert. Dieses führt insbesondere in starken magnetischen Feldern und bei großen Beweglichkeiten der Ladungsträger in Übereinstimmung mit neueren experimentellen Ergebnissen von Estermann und Foner2 sowie von Pearson und Suhl3 zu einer wesentlich größeren Widerstandsänderung als nach der älteren Hardingschen Theorie4. Im zweiten Teil werden die entsprechenden Untersuchungen für das Zweibändermodell und eine energieunabhängige freie Weglänge durchgeführt. Es wird auf gewisse Eigentümlichkeiten dieses Modells wie Einfluß der Eigenleitung auf die Widerstandsänderung von Germanium bei Zimmertemperatur und Vorzeichenwechsel der Hall-Konstanten (unter gewissen Voraussetzungen) hingewiesen.