Notizen: Über die Halbleitereigenschaften von Galliumphosphid-Reference-Cited by-同舟云学术

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Notizen: Über die Halbleitereigenschaften von Galliumphosphid

Published:1954-12-01 Issue:12 Volume:9 Page:1050-1051
ISSN:1865-7109
Container-title:Zeitschrift für Naturforschung A
language:en
Short-container-title:

Author:

Folberth O. G.¹,Oswald F.¹

Affiliation:

1. Aus dem Forschungslaboratorium der Siemens-Schuckertwerke AG. Erlangen

Publisher

Walter de Gruyter GmbH

Subject

Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics

Link

https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/zna-1954-1209/pdf

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1. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV;Physical Review B;1983-01-15

2. Reflectivity and(dRdE)Rof GaP between 2.5 and 6.0 eV;Physical Review B;1972-02-15

3. Chapter 1 Band Structure and Galvanomagnetic Effects in III-V Compounds with Indirect Band Gaps;Semiconductors and Semimetals;1972

4. Gallium Phosphide;III–V Semiconducting Compounds;1971

5. Beitrag zur metallographischen Untersuchung von einkristallinem Galliumphosphid;Kristall und Technik;1970

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