Die elektrischen Eigenschaften von Indiumarsenid II

Author:

Folberth O. G.1,Madelung O.1,Weiss H.1

Affiliation:

1. Aus dem Forschungslaboratorium der Siemens-Schuckertwerke AG, Erlangen

Abstract

Es werden Messungen der spez. Leitfähigkeit und des Hall-Koeffizienten der halbleitenden Verbindung InAs mitgeteilt und diskutiert. Für die Breite der verbotenen Zone am absoluten Nullpunkt der Temperatur ergibt sich der Wert 0,47 ± 0,02 eV. Ihre Temperaturabhängigkeit ist angenähert —4,5·10-4 eV/°K. Die Elektronenbeweglichkeit hat bei Zimmertemperatur einen Maximalwert von etwa 30000 cm2/Vsec, die Löcherbeweglichkeit von etwa 200 cm2/Vsec.

Publisher

Walter de Gruyter GmbH

Subject

Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics

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