Präparation von V-Ga- und V-Si-Diffusionsschichten und ihre kritischen Stromstärken in transversalen Magnetfeldern bis 90 kOe

Abstract

Die Präparation von V-Ga- und V-Si-Diffusionsschichten aus der Dampfphase wird beschrieben und der Einfluß der Präparationsbedingungen auf die Übergangskurven dieser Schichten behandelt. Die Kurven kritischer Stromstärken für solche Schichten werden in transversalen Magnetfeldern bis 90 kOe gemessen. Die kritischen Stromkurven für V-Ga-Schichten verlaufen im Gebiet hoher Feldstärken wesentlich flacher, für V-Si-Schichten steiler als die Kurven vergleichbarer Nb-Sn-Schichten.