Magnetische Widerstandsänderung und Anisotropiekonstante von n-Germanium im Temperaturbereich von 10°K bis 300°K

Author:

Bruns H.1

Affiliation:

1. OSRAM-Studiengesellschaft, Augsburg

Abstract

HALL-Spannung und Widerstandsänderung verschieden stark Sb-dotierter Ge-Proben werden gemessen. Die daraus für schwache Magnetfelder bestimmte Anisotropiekonstante K hängt nur vom Verhältnis der Anteile der Streumechanismen an der Gesamtstreuung ab. Die longitudinale Widerstandsänderung für starke Felder gibt dieselben K-Werte, wenn ein linear mit der Feldstärke wachsender Anteil als überlagerte Störung von ihr abgezogen wird. Insoweit wird die Theorie der galvanomagnetischen Effekte experimentell bestätigt, wenn man für die Streuung an ionisierten Störstellen Stoßzeitanisotropie annimmt. Die transversale Widerstandsänderung zeigt den bekannten, die theoretischen Sättigungswerte weit überschreitenden linearen Anstieg, wie im Fall der longitudinalen mit Störstellenstreuung verknüpft, jedoch im Gegensatz zu dieser ohne Anteil mit Sättigung.

Publisher

Walter de Gruyter GmbH

Subject

Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics

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1. Charge Transport and Scattering Processes in the Many-Valley Model;Springer Series in Solid-State Sciences;1982

2. Anomalously enhanced plasma diffusion transverse to a magnetic field in n-Ge;Journal of Physics and Chemistry of Solids;1980-01

3. Interaction of transverse magnetoresistance effects in extrinsic and intrinsic InSb;Journal of Physics and Chemistry of Solids;1980-01

4. Charge Transfer in Some Transition-Metal Semiborides;physica status solidi (b);1974-01-01

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