Дослідження рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду у технологічних пластинах Si тепловізійним методом-Reference-Cited by-同舟云学术

Дослідження рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду у технологічних пластинах Si тепловізійним методом

Published:2020-11-26 Issue:9 Volume:63 Page:570-579
ISSN:2307-6011
Container-title:Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
language:
Short-container-title:Известия вузов. Радиоэлектроника

Author:

Чирчик Сергей Васильевич^ORCID

Publisher

Kyiv Politechnic Institute

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Computer Networks and Communications

Reference22 articles.

1. В. И. Старосельский, Физика Полупроводниковых Приборов Микроэлектроники. Москва: Юрайт, 2019.

2. Л. А. Скворцов, Основы Фотометрической Радиометрии и Лазерной Термографии. Москва: Техносфера, 2017.

3. Theoretical exploration towards high-efficiency tunnel oxide passivated carrier-selective contacts (TOPCon) solar cells;Zeng;Solar Energy,2017

4. Д. В. Ахметов, Н. В. Фатеев, “Инфракрасная томография времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках полупроводникового кремния,” Физика и техника полупроводников, vol. 35, no. 1, pp. 40–47, 2001, uri: http://journals.ioffe.ru/articles/38426.

5. Surface recombination velocity in Si wafers by photoinduced thermal emission;Malyutenko;Appl. Phys. Lett,2006-07-31