Substitutional doping of amorphous silicon a comparison of different doping mechanisms

Author:

Müller G.1,Mannsperger H.2,Kalbitzer S.2

Affiliation:

1. a Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, Postfach 80 11 49 , 8000 , München 80 , F.R. Germany

2. b Max-Planck-Institut für Kernphysik , Postfach 10 39 80, 6900 , Heidelberg 1 , F.R. Germany

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Physics and Astronomy,General Chemical Engineering

Reference24 articles.

1. Amer , N. M. and Jackson , W. B. 1984. Semiconductors and Semimetals, Edited by: Pankove , J. I. Vol. 21 B, 83New York, London, Tokyo: Academic Press.

2. Cohen , J. D. 1984. Semiconductors and Semimetals, Edited by: Pankove , J. I. Vol. 21 C, 9New York, London, Tokyo: Academic Press.

3. Connell , G. A. N. 1984. Amorphous Semiconductors, Edited by: Brodsky , M. H. 5Berlin, Heidelberg, New York: Springer-Verlag.

4. Electron Spin Resonance of Doped Glow-Discharge Amorphous Silicon

5. Direct spectroscopic determination of the distribution of occupied gap states in a-Si:H

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