Eine neue methode zur Bestimmung von Zerstörungs- bzw. Ionenimplantationsprofilen in isolatorschichten

Author:

Schmidt M.,Glaefeke H.,Drenckhan J.,Wild W.

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Engineering

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1. TAPE of Si Wafers;Springer Series in Surface Sciences;2022-11-25

2. Exoelectron emission due to relaxation processes at surfaces;Physica Status Solidi (a);1981-01-16

3. Exoelectron Emission;Microscopic Aspects of Adhesion and Lubrication, Proceedings of the 34th International Meeting of the Société de Chimie Physique;1981

4. A study of radiation damage in thin SiO2 layers with TSEE and IR techniques;Physica Status Solidi (a);1980-12-16

5. Radiation-Induced Charge Storage and Polarization Effects;Topics in Applied Physics;1980

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