Design and analysis of a high-performance 90-101 GHz CMOS power amplifier
Author:
Affiliation:
1. Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Puli, Taiwan, ROC
Funder
MOST of the R.O.C
Publisher
Informa UK Limited
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
https://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00207217.2021.1908615
Reference20 articles.
1. A 11% PAE, 15.8-dBm two-stage 90-GHz stacked-FET power amplifier in 45-nm SOI CMOS
2. Multi-Drive Stacked-FET Power Amplifiers at 90 GHz in 45 nm SOI CMOS
3. A 58–65 GHz Neutralized CMOS Power Amplifier With PAE Above 10% at 1-V Supply
4. Analysis and Design of a 1.6–28-GHz Compact Wideband LNA in 90-nm CMOS Using a $ \pi $-Match Input Network
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