Photoelectrical properties of n-GaAs-p-AlxGa1−xAs heterojunction-Reference-Cited by-同舟云学术

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Photoelectrical properties of n-GaAs-p-AlxGa1−xAs heterojunction

Published:1974-05 Issue:5 Volume:36 Page:575-587
ISSN:0020-7217
Container-title:International Journal of Electronics
language:en
Short-container-title:International Journal of Electronics

Author:

SOSTARICK M.,GOLDENBLUM A.

Publisher

Informa UK Limited

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Link

http://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00207217408900450

Reference15 articles.

1. ALFEROV , J. I. , ANDREEV , V. M. , KOROLKOV , V. I. , PORTNOI , E. L. , and TRETIAKOV , D. N. , 1968 , Proc. 9tk Int. Conf. Phys. Semiconductors ( Moscow: Izd. Nauka Moscow/Leningrad ), p. 504 .

2. The emission spectra of p-AlxGa1−xAs–n-GaAs heterojunctions

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