Global well posedness for a 2D drift–diffusion–Maxwell system-Reference-Cited by-同舟云学术

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Global well posedness for a 2D drift–diffusion–Maxwell system

Published:2017-09-22 Issue:15 Volume:97 Page:2573-2593
ISSN:0003-6811
Container-title:Applicable Analysis
language:en
Short-container-title:Applicable Analysis

Author:

El Ghani Najoua¹,Majdoub Mohamed²

Affiliation:

1. Département de Réseaux et Multimédia, Institut Supérieur d’Informatique et des Technologies de Communication, Université de Sousse , Hammam Sousse, Tunisie.

2. College of Science, Mathematics Department, Imam Abdulrahman Bin Faisal University , Dammam, KSA.

Publisher

Informa UK Limited

Subject

Applied Mathematics,Analysis

Link

https://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00036811.2017.1377832

Reference32 articles.

1. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices

2. Theory of the Flow of Electrons and Holes in Germanium and Other Semiconductors

3. On equations describing steady-state carrier distributions in a semiconductor device

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