Photoluminescence in doping-modulated amorphous silicon multilayers
Author:
Affiliation:
1. a Electrotechnical Laboratory , 1-1-4 Umezono, Tsukuba-shi , Ibaraki , 305 , Japan
Publisher
Informa UK Limited
Subject
General Physics and Astronomy,General Chemical Engineering
Link
https://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/01418639408240132
Reference10 articles.
1. Observation of tunable room temperature photoluminescence in GaAs doping superlattices
2. Observation of Tunable Band Gap and Two-Dimensional Subbands in a Novel GaAs Superlattice
3. Radiative and non-radiative recombination in amorphous silicon
4. Photoluminescence and photoconductivity of a-Si:H at high electric fields
5. Field-dependent recombination in a-Si:H
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