Breakdown voltages of base-collector junctions of high-voltage power transistors with graded collectors
Author:
Affiliation:
1. a Electrical and Computer Engineering Department , Clarkson University , Potsdam, NY 13676, U.S.A.
Publisher
Informa UK Limited
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
https://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00207219108921258
Reference5 articles.
1. Increase of critical current density and voltage for triggering avalanche injection through use of graded collector doping
2. Multiplication in collector junctions of silicon n-p-n and p-n-p transistors
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