Defect structure development in electron-irradiated Cu-based Si, Ge and Sn binary alloys

Author:

Satoh Y.1,Yoshiie T.1,Ishida I.2,Kiritani M.3

Affiliation:

1. a Research Reactor Institute, Kyoto University, Kumatori-cho , Sennan-gun, Osaka , 590-0494 , Japan

2. b Divisions of Electronic and Information Engineering , Hokkaido University , Kita-ku, Sapporo , 060-8628 , Japan

3. c Department of Electronic Engineering , Hiroshima Institute of Technology , Saeki-ku, Hiroshima , 731-5193 , Japan

Publisher

Informa UK Limited

Subject

Metals and Alloys,Physics and Astronomy (miscellaneous),Condensed Matter Physics,General Materials Science,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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