Growth and luminescence properties of GaP:N and GaP1−xNx

Author:

Baillargeon J. N.

Publisher

American Vacuum Society

Subject

General Engineering

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1. History of MBE;Molecular Beam Epitaxy;2019-02-08

2. Nitrogen pair-induced temperature insensitivity of the band gap of GaNSb alloys;Journal of Physics D: Applied Physics;2018-11-21

3. Band gap reduction in InNxSb1-x alloys: Optical absorption, k · P modeling, and density functional theory;Applied Physics Letters;2016-09-26

4. Growth and characterisation of high quality MBE grown InNxSb1–x;physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters;2007-05

5. Band anticrossing in GaNxSb1−x;Applied Physics Letters;2006-09-11

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