Epitaxial Growth of III-Nitride LEDs
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Publisher
Springer Nature Singapore
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https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-981-19-0436-3_2
Reference166 articles.
1. Mills A (2003) Solid state lighting-a world of expanding opportunities at LED 2002. III-Vs Rev 16(1):30–33
2. Li H, Kang J, Li P et al (2013) Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer. Appl Phys Lett 102(1):11105
3. Lu T, Li S, Liu C et al (2012) Advantages of GaN based light-emitting diodes with a p-InGaN hole reservoir layer. Appl Phys Lett 100(14):141106
4. Lee W, Limb J, Ryou J et al (2006) Effect of thermal annealing induced by p-type layer growth on blue and green LED performance. J Cryst Growth 287(2):577–581
5. Liu CH, Chuang RW, Chang SJ et al (2004) Improved light output power of InGaN/GaN MQW LEDs by lower temperature p-GaN rough surface. Mater Sci Eng B 112(1):10–13
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