A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon

Author:

Jones K. S.,Prussin S.,Weber E. R.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Materials Science,General Chemistry,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering,General Materials Science

Reference138 articles.

1. K.H. Nicholas: J. Phys. D9, 393 (1976)

2. S. Prussin: Private communication

3. J. Fletcher, G.R. Booker: Electrochem. Soc. Proc.80, 1155 (1980)

4. C. Bull, P. Ashburn, G.R., Booker, K.H. Nicholas: Sol. State Electron.22, 95 (1979)

5. M. Finetti, R. Galloni, M. Mazzone: J. Appl. Phys.50, 1381 (1979)

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