Bipolarer Transistor (Injektionstransistor)

Author:

Schröder Dierk

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference48 articles.

1. Antognetti, P.; Massobrio, G. Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill Verlag, New York, 1988

2. Bardeen, J.; Brattain, W. H. The Transistor, a Semiconductor Triode. Phys. Rev. 74 (1948), S. 230–231

3. Beatty, B. A.; Krishna, S.; Adler, M. Second Breakdown in Power Transistors due to Avalanche. IEEE Trans. Electron Devices ED-23 (1976), S. 851–857

4. Blackburn, D. L. Failure Mechanism and Nondestructive Testing of Power Bipolar and MOS Gated Transistosrs MADEP-EPE 1991 Florenz, S. 0–252 – 0–257

5. Blackburn, D. L.; Berning, D. W. Some Effects of Base Current on Transistor Switching and Reverse-Bias Second Breakdown. IEDM Techn. Digest (1978), Washington, S. 671–675

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