Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverstärkern (Transistoren)

Author:

Spenke Eberhard

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference26 articles.

1. Bei den Substitutionsstörstellen des Germaniums darf — außer bei extrem tiefen Temperaturen und sehr starken Dotierungen — Erschöpfung angenommen und deshalb n D = n D + gesetzt werden..

2. Falls nicht Konzentrationsveränderungen noch durch andere Ursachen erzwungen werden, z. B. durch Divergenz einer Trägerströmung.

3. E. M. Conwell gibt ni=2,5·1013 cm-3 an. Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1329, Tab. II.

4. Siehe hierzu auch Fußnote 1 auf S. 98.

5. Siehe hierzu S. 140. Nach Gl. (V 2.43) ist beim Fadentransistor r12 = rb.

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