1. H. Y. Lee, G. S. Oehrlein and C. Ransom, Rad. Eff. & Defects in Solids,111 & 112, 221 (1989).
2. H. P. Strunk, H. Cerva and E. G. Mohr, J. Electrochem. Soc.135, 2876 (1988).
3. P. Krulevitch, T. D. Nguyen, G. C. Johnson, R. T. Howe, H. R. Wenk and R. Gronsky, Evol. Thin Films & Surf. Micro. Symp. Proc. (1991), p 167.
4. A. Katz, S. Nakahara, S. N. G. Chu, B. E. Weir, C. R. Abe- mathy, W. S. Hobson, S. J. Pearton and W. Savin, in Long Wavelength Semiconductor Devices, Mat. & Processes- Symp. (1991), p 305.
5. A. N. Didenko, A. E. Ligachev, Y. P. Sharkeev, G. V. Pushkareva, E. V. Kozlov, A. I. Ryabchikov, R. A. Nasyrov and G. I. Shakhmeister, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res.B61, 441 (1991).