3D Simulation of Process Effects Limiting FinFET Performance and Scalability

Author:

Burenkov A.,Lorenz J.

Publisher

Springer Vienna

Reference7 articles.

1. D. Hisamoto, Wen-Chin-Lee, J. Kedzierski et al., A folded-channel MOSFET for deepsub-tenth micron era, in: IEDM Digest 1998, IEEE, Piscataway, NJ, 1998, p. 1032.

2. A. Burenkov, J. Lorenz, Corner effect in double and triple gate FinFETs, in: Proc. ESSDERC 2003. Eds.: J. Franca and P. Freitas, Estoril, Portugal, 2003, p. 135.

3. see http://www.iis-b.fhg.de/en/arb_geb/magic_feat.html

4. see http://www.ise.com

5. E. Bär, J. Lorenz, H. Ryssel, Three-dimensional simulation of layer deposition, Microelectronics Journal, 29 (1998) 799.

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