Semianalytical Universal Simulation of the Electrical Properties of the Permeable Base Transistor-Reference-Cited by-同舟云学术

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Semianalytical Universal Simulation of the Electrical Properties of the Permeable Base Transistor

Published:1993 Issue: Volume: Page:309-312
ISSN:
Container-title:Simulation of Semiconductor Devices and Processes
language:
Short-container-title:

Author:

Chenevier P.,Kamarinos G.,Pananakakis G.

Publisher

Springer Vienna

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-3-7091-6657-4_76.pdf

Reference8 articles.

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