Der MOSFET im dynamischen Betrieb

Author:

Paul Reinhold

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference148 articles.

1. Das, M.B.: Dependence of the characteristics of MOS transistors on the substrate resistivity. Solid-State Electronics 11 (1968), 305–322

2. Meyer, J.E.: MOS models and circuit simulation. RCA Rev. 32 (1971), 42–63

3. Molin, B.A. MOS-Transistor modeling for modern CMOS-processes. Rept. Lund University, LUTEOX (1987), 1–43

4. Klaassen, F.M.: MOS device modeling, Abschn. 1 in Design of MOS VLSI Circ. For Telecom., Y. Tsividis and P. Antognette (ed.) Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J. 1985

5. Turchettti et. al.: On the small-signal behavior of the MOS-transistor in quasi-static operation. Solid-State Electronics 26 (1983¿), 941–949

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