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Springer Berlin Heidelberg
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1. Bezüglich der Ortsunabhängigkeit der Energieterme des ungestörten Gitters im Gegensatz zur Ortsgebundenheit der Donatoren- und Akzeptorenniveaus s. S. 20 u. 21.
2. Siehe Fußnote 3 auf S. 6.
3. Diese Bindungskräfte werden manchmal auch als chemische Bindungskräfte bezeichnet und dementsprechend die Kristallenergie als chemische Bindungsenergie. Man will mit diesen Bezeichnungen betonen, daß sich die stoffliche Eigenart des jeweils betrachteten Festkörpers gerade in diesem Energieanteil auswirkt.
4. Ob hiernach in allen denkbaren Fällen die Aufteilung der Gesamtenergie in elektrostatische Energie und in Kristallenergie eindeutig festliegt, erscheint zum mindesten zweifelhaft. C. Herring u. M. H. Nichols definieren in Rev. of Modern Physics 21 (1949) 185–270 das elektrostatische Makropotential durch Mittelwertbildung über das elektrostatische Mikropotential. W. Schottky hat in „Die Physik in regelmäßigen Berichten“ Bd. 3 (1935) S. 17, insbesonders S. 19, Fußnote 1, ein sog. „Leerraumpotential“ eingeführt, um das elektrostatische Makro-potential exakt zu erfassen. Wir glauben, daß in den im folgenden behandelten Halbleiterrandschichten jedenfalls kein Zweifel bestehen kann, wie man die elektrostatische Energie — e V der Halbleiterelektronen anzusetzen hat und wie groß ihre Kristallenergie E ist.
5. Das gilt auch für die untersten und obersten Terme eines jeden Bandes, obwohl dort die ψ-Funktion den Charakter einer stehenden Welle hat und man daher unzutreffenderweise das Verschwinden der kinetischen Energie in diesen Bandgrenzen anzunehmen versucht sein wird. Näheres s. S. 305, Fußnote 1.
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