BICMOSG3 Cell — A Novel High-Speed DRAM Cell Taking Full Advantage of BICMOS Technology

Author:

Richter R.,Winkler W.,Matzke W.-E.,Ehwald K. E.,Heinemann B.

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference3 articles.

1. P.K. Chatterjee, G.W. Taylor, J.E. Leiss; Proc. of the 11th Conference on Solid State Devicee, Tokyo 1979 pp. 209–212

2. A.G. Eldin, M.I. Elmasry; IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC-20, No. 3, June 1985, pp. 715–723

3. D. Temmler, K.E. Ehwald, W. Winkler, R. Barth, P. Schley ; 17th Yugoslav Conf. on Microelectronics, Miel, May 1989

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