Light-induced defects in plasma-hydrogenated InP: Zn
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Publisher
Springer Science and Business Media LLC
Subject
General Materials Science,General Chemistry
Link
http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/BF01538379.pdf
Reference33 articles.
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1. Vacancies and negative ions in as-grown and ion-bombarded p-InP(Zn) observed by positron annihilation;Semiconductor Science and Technology;1999-01-01
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