Über den Einfluß der Exzitonen im Hochstrombereich von PSN-Dioden und Thyristoren

Author:

Wasserrab Th.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Engineering,Applied Mathematics,Electrical and Electronic Engineering

Reference16 articles.

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2. Herlet, A.: The Forward Characteristic of Silicon Power Rectifiers at High Current Densities. Solid-State El. 11 (1968) 717–742

3. Spenke, E.: Notes on the Theory of the Forward characteristic of Power Rectifiers. Solid-State El. 11 (1968) 1119–1130

4. Wasserrab, Th.: Beitrag zur nichtlinearen Theorie des Hochstrombereiches von PSN-Dioden und Thyristoren. Archiv f. Elektrotech. 58 (1976) 27–37

5. Gerlach, W.; Schlangenotto, H.: Untersuchung von durchlaßbelasteten Gleichrichtern und Thyristoren mit Hilfe der Elektrolumineszenz. Vortrag am European Meeting of Semiconductor Device Research, München (1969)

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