1. Deutsche Offenlegungsschrift 2508803, „Neuartige Siliciumkristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung” Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, Erfinder: Authier Bernhard (“New silicon crystals and their manufacturing process”).
2. W. R. Runyan, “Silicon semiconductor Technology”.
3. H. H. Kocher and A. Mühlbauer, „Über das Verhalten einiger Tiegelmaterialien beim Schmelzen von Halbleiter-Silicium”. Elektrowärme, Band 25, Nr. 2, Feb. 67 (“The behaviour of some melting pot materials when melting semiconductor-grade silicon”).
4. Deutsche Offenlegungsschrift 2009459. „Verfahren zur Herstellung von Siliciumformkörpern körpern”. Consortium für elektrochemische Industrie GmbH, München, Erfinder: Daxer H., Dietz W., Dipl.phys., Vögerl F., Hermann H. Dr. (“Procedure for the fabrication of silicon blocks”).
5. W. Hooper, H. J. Queisser, Bull. Am. Phys. Sol. 7, 211, 1962.