Silicon Irradiation Facilities at the NBS Reactor-Reference-Cited by-同舟云学术

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Silicon Irradiation Facilities at the NBS Reactor

Published:1979 Issue: Volume: Page:165-170
ISSN:
Container-title:Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
language:
Short-container-title:

Author:

Bickford N. A.,Fleming R. F.

Publisher

Springer US

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-1-4684-8249-2_13.pdf

Reference3 articles.

1. D. A. Becker and P. D. LaFleur, J. Radioanalytical Chemistry 19, 149 (1974).

2. W. S. Lyon and J. J. Manning, “Radioactive 31Si,” Phys. Rev. 93, 501 (1954).

3. D. DeSoete, et al., Neutron Activation Analysis (John Wiley, New York, 1972), p. 490–496.

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1. Specific features of the electrophysical parameters of NTD Si treated under different conditions of heat treatment;Semiconductors;2016-06

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