Defect Characterization of Strained InGaAs Structures Prepared on INP and GaAs

Author:

Srnanek R.,Kovac J.,Novotny I.,Skriniarova J.,Nemeth S.,Opitz B.,Kohl A.

Publisher

Springer Netherlands

Reference4 articles.

1. Opitz,B., Kohl,A. Kovac,J., Brittner,S., Grunberg,F.,Heime,K. and Woitok,J., (1994) Wannier-Stark Effect in InxGa1-xAs/InyGa1-yAs Superlattices of Different Compositions on InP, Proc.6 th Int.Conf.On InP and Rel.Comp., Santa Barbara, 1994, 459–462

2. Ito,H. and Ishibashi,T. (1986) GaAs/In0.08Ga0.92As Double Heterojunction Bipolar Transistors with Lattice-Mismatched Base, Jap.J.Appl.Phys. 25, L421–L424

3. Srnanek,R., Nandraska,S. and Kovac,J. (1987) Observation of dislocation etch pits on (OOl)InGaAsP, J.Mater.Sci.Lett. 6, 185 - 187

4. LourencoJ.A. (1984) A Defect Etchant for (100) InGaAsP, J.Electrochem.Soc. 131, 1914 - 1916

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