Modeling of shallow extension engineered dual metal surrounding gate (SEE-DM-SG) MOSFET gate-induced drain leakage (GIDL)

Author:

Goel AnubhaORCID,Rewari Sonam,Verma Seema,Gupta R. S.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Physics and Astronomy

Reference34 articles.

1. Y Taur, C H Wann and D J Frank International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest p 789 (1998)

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3. C H Wann, K Noda, T Tanaka, M Yoshida and C Hu IEEE Trans. Electron Devices 43 1742 (1996)

4. G V Reddy and M J Kumar IEEE Trans. Nanotechnol. 4 260 (2005)

5. M J Kumar and A Chaudhry IEEE Trans. Electron Devices 51 569 (2004)

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