Switching Characteristics of Gallium Nitride Transistors: System-Level Issues

Author:

Lee Fred,Li Qiang,Huang Xiucheng,Liu Zhengyang

Publisher

Springer International Publishing

Reference30 articles.

1. Huang X, Liu Z, Li Q, Lee FC (2014) Evaluation and application of 600 V GaN HEMT in cascode structure. IEEE Trans Power Electron 29(5):2453–2461

2. Huang X, Li Q, Liu Z, Lee FC (2014) Analytical loss model of high voltage GaN HEMT in cascode configuration. IEEE Trans Power Electron 29(5):2208–2219

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4. Yang B, Zhang J (2005) Effect and utilization of common source inductance in synchronous rectification. In Proceedings of IEEE APEC, pp 1407–1411

5. Jauregui D, Wang B, Chen R (2011) Power loss calculation with common source inductance consideration for synchronous buck converters. TI application note. Available online www.ti.com

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