Change of GeTe/Sb2Te3 Thin-Film Memory Elements Resistance RON Under External Pressure

Author:

Troyan Evgeniy,Doronin Alexander

Publisher

Springer International Publishing

Reference23 articles.

1. Troyan, E.F.: Candidate’s thesis by E.F. Troyan on the issue in dec.4 (1997)

2. Sun, H.-J., Hou, L.-S., Wu, Y.-Q., Tang, X.-D.: Reversible resistance switching effect in amorphous Ge1Sb4Te7 thin films without phase transition. Chin. Phys. Lett. 2(2), p. 024203-1-3 (2009)

3. Petrov, I.I., Imamov, R.M., Pinsker, Z.G.: Electron-diffraction determination of the structures of Ge2Sb2Te5 and GeSb4Te7. Sov. Phys. Crystallogr. 13, 339–342 (1968)

4. Tominaga, J., Simson, R., Fons, P., Kolobow, A.: Electrical-field induced giant magnetoresistivitiy in (non-magnetic) phase change material. Appl. Phys. Lett. 99, 152105 (2011)

5. Troyan, E.F.: patent US 5,363,329 (1994)

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