1. J.H. Choi, Y. Mao, J.P. Chang, Mater. Sci. Eng R Rep. 72(6), 97–136 (2011)
2. G. He, X. Chen, Z. Sun, Surf. Sci. Rep. 68(1), 68–107 (2013)
3. Y. Irokawa, T. Nabatame, A. Ohi, N. Ikeda, O. Sakata, Y. Koide, Jpn. J. Appl. Phys. 58(10), 100915 (2019)
4. T. Nabatame, E. Maeda, M. Inoue, K. Yuge, M. Hirose, K. Shiozaki, N. Ikeda, T. Ohishi, A. Ohi, Appl. Phys. Express 12(1), 011009 (2019)
5. K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, C. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Huessner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. McIntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Shifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams and K. Zawadzki, IEEE International Electron Devices Meeting, 2007, p. 247