Wang, Zongwei-北京大学-论文-全球学者库

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Wang, Zongwei
中国北京北京大学

学者ID：无 ORCID：0000-0001-6297-2700 同名学者

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1 Investigation and mitigation of Mott neuronal oscillation fluctuation in spiking neural network

来源：SCI CHINA INFORM SCI( P 1674-733X E 1869-1919 ) 发表时间: 2024/02

类型：期刊论文为本人加分

2 Temperature-Dependent Accuracy Analysis and Resistance Temperature Correction in RRAM-Based In-Memor..

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2024/01

类型：期刊论文为本人加分

3 A High-Speed True Random Number Generator Based on Unified Selector-RRAM

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2023/12

类型：期刊论文为本人加分

4 Generic Compact Modeling of Emerging Memories With Recurrent NARX Network

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2023/08

类型：期刊论文为本人加分

5 Research on storage-computing fusion transistors for novel computing architectures

来源：CHIN SCI B-CHIN( P 0023-074X E 2095-9419 ) 发表时间: 2023/01

类型：期刊论文为本人加分

6 Mnemonic Dictionary Learning for Intrinsic Motivation in Reinforcement Learning

来源：IEEE IJCNN( P 2161-4393 E ) 发表时间: 2023/01

类型：会议论文为本人加分

7 PIMulator-NN: An Event-Driven, Cross-Level Simulation Framework for Processing-In-Memory-Based Neura..

来源：IEEE T COMPUT AID D( P 0278-0070 E 1937-4151 ) 发表时间: 2022/12

类型：期刊论文为本人加分

8 In Materia Neuron Spiking Plasticity for Sequential Event Processing Based on Dual-Mode Memristor

来源：ADV INTELL SYST-GER( P E 2640-4567 ) 发表时间: 2022/08

类型：期刊论文为本人加分

9 A New Insight and Modeling of Pulse-to-Pulse Variability in Analog Resistive Memory for On-Chip Trai..

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2022/06

类型：期刊论文为本人加分

10 Implementation of Neuronal Intrinsic Plasticity by Oscillatory Device in Spiking Neural Network

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2022/04

类型：期刊论文为本人加分

1 Engineering incremental resistive switching in TaOx based memristors for brain-inspired computing

来源：NANOSCALE( P 2040-3364 E 2040-3372 ) 发表时间: 2016/01

类型：期刊论文为本人加分：8605.925988

2 Memory materials and devices: From concept to application

来源：INFOMAT( P E 2567-3165 ) 发表时间: 2020/03

类型：期刊论文为本人加分：2769.693892

3 Artificial Neural Network Based on Doped HfO2 Ferroelectric Capacitors With Multilevel Characteristi..

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2019/08

类型：期刊论文为本人加分：1826.596031

4 Homogeneous 3D Vertical Integration of Parylene-C Based Organic Flexible Resistive Memory on Standar..

来源：ADV ELECTRON MATER( P 2199-160X E ) 发表时间: 2021/02

类型：期刊论文为本人加分：1285.364125

5 Self-Selective Resistive Device With Hybrid Switching Mode for Passive Crossbar Memory Application

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2020/07

类型：期刊论文为本人加分：1250.010051

6 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interf..

来源：NANOTECHNOLOGY( P 0957-4484 E 1361-6528 ) 发表时间: 2017/02

类型：期刊论文为本人加分：1133.145325

7 Emulation of biphasic plasticity in retinal electrical synapses for light-adaptive pattern pre-proce..

来源：NANOSCALE( P 2040-3364 E 2040-3372 ) 发表时间: 2021/02

类型：期刊论文为本人加分：992.921727

8 Early-Stage Fluctuation in Low-Power Analog Resistive Memory: Impacts on Neural Network and Mitigati..

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2020/06

类型：期刊论文为本人加分：884.594657

9 Tunable Stochastic Oscillator Based on Hybrid VO/Ta Device for Compressed Sensing

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2021/01

类型：期刊论文为本人加分：841.882661

10 Self-Activation Neural Network Based on Self-Selective Memory Device With Rectified Multilevel State..

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2020/10

类型：期刊论文为本人加分：778.649888

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