1 Tunnel coupled dangling bond structures on hydrogen terminated silicon surfaces
来源:J CHEM PHYS( P 0021-9606 E ) 发表时间: 2011/02
类型:期刊论文 为本人加分:3424.659558
2 Controlled Coupling and Occupation of Silicon Atomic Quantum Dots at Room Temperature
来源:PHYS REV LETT( P 0031-9007 E 1079-7114 ) 发表时间: 2009/01
类型:期刊论文 为本人加分:3213.970853
3 Dangling-bond charge qubit on a silicon surface
来源:NEW J PHYS( P 1367-2630 E ) 发表时间: 2010/08
类型:期刊论文 为本人加分:24.647612
4 Dangling-bond charge qubit on a silicon surface[vol 12, 083018, 2010]
来源:NEW J PHYS( P 1367-2630 E ) 发表时间: 2017/11
类型:期刊论文 为本人加分:0.028976