Author:
Зиновьев М.М.,Юдин Н.Н.,Дорофеев И.О.,Подзывалов С.Н.,Слюнько Е.С.
Abstract
В работе показано увеличение пороговой плотности энергии лазерного излучения на длине волны 2091 нм при уменьшении температуры от 0ºС до -60ºС до достижения оптического пробоя образца монокристалла ZnGeP2 (ZGP). При снижении температуры от 0º до -60º С наблюдается резкое увеличение пороговой плотности энергии с 1,6 до 2,6 Дж/см2, при диаметре лазерного пучка 270 мкм, и с 3,2 до 10,2 Дж/см2 при диаметре 100 мкм (в 1,5 и 3 раза, соответственно).
Reference9 articles.
1. Peterson R.D., Schepler K.L., Brown J. L. Damage properties of ZnGeP2 at 2 μm // J. Opt.l Society B. 1995.
2. V. 12. P. 2142.
3. Zawilski K.T., Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M. Increasing the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2 // J. Opt.l Society B. 2006. V. 23. P. 2310.
4. Hildenbrand A., Kieleck C., Tyazhev A., Marchev G., Stöppler G., Eichhorn M., Schunemann P. G., Panyutin V. L., Petrov V. 6.5 W ZnGeP2 OPO directly pumped by a Q-switched Tm3+-doped single-oscillator fiber laser // Opt. Engineer. 2014. V. 53. P. 122511.
5. Грибенюков А.И., Дёмин В.В., Ольшуков А.С., Подзывалов С.Н., Половцев И.Г., Юдин Н.Н. О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 // Известия ВУЗов. Физика. 2016. Т. 61. №. 89. С. 386-388.