Silicon Carbide Film Growth Using Dual Isotopical 28Si− and 12C+ Ion Species
Author:
Affiliation:
1. Osaka National Research Institute
Publisher
Japan Institute of Metals
Subject
General Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/matertrans1989/41/1/41_1_34/_pdf
Reference19 articles.
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1. Isotopically-Purified Si and 3C-SiC Film Growth by an Ion-Beam Deposition Method;physica status solidi (a);2002-01
1.学者识别学者识别
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