Experimental Evaluation of Parasitic Bipolar Effects and Mechanical Stress Effects in SOI-Power-MOSFETs

Author:

Shiotsuka Koki1,Koganemaru Masaaki1,Matsumoto Satoshi2,Ikeda Toru1

Affiliation:

1. Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University

2. Graduate School of Engineering, Kyushu Institute of Technology

Publisher

Japan Institute of Electronics Packaging

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Reference16 articles.

1. 1) 三浦英生,西村朝雄,河合末男,西 邦彦:“ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 55, No. 516, pp. 1763–1770, Aug. 1989

2. 2) 小金丸正明,池田 徹,宮崎則幸:“ピエゾ抵抗テストチップと有限要素法解析を用いた樹脂封止に起因する半導体チップ表面の残留応力評価,”エレクトロニクス実装学会誌,Vol. 9, No. 3, pp. 186–194, Mar. 2006

3. 3) 三浦英生,西村朝雄:“パッケージング応力起因の半導体素子特性変動,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 61, No. 589, pp. 1957–1964, Sep. 1995

4. 4) C. Gallon, G. Reimbold, G. Ghibaudo, R. A. Bianchi, R. Gwoziecki, S. Orain, E. Robilliart, C. Raynaud, and H. Dansas: "Electrical Analysis of Mechanical Stress Induced by STI in Short MOSFETs Using Externally Applied Stress," IEEE Transantions on Electron Devices, Vol. 51, No. 8, pp. 1254–1261, Aug. 2004

5. 5) 熊谷幸博,太田裕之,三浦英生,清水昭博,蒲原史朗,前川径一:“ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 72, No. 713, pp. 47–54, Jan. 2006

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