Parameter Extraction for Large Periphery Indigenous AlGaN/GaN HEMT Device
Author:
Affiliation:
1. Solid State Physics Laboratory,Delhi,India
2. Karunya Institute of Technology and Sciences,Coimbatore,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10560478/10560483/10560490.pdf?arnumber=10560490
Reference18 articles.
1. A 10W GaN based X-band T/R module for AESA
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