2021 IEEE International Roadmap for Devices and Systems Outbriefs
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IEEE
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1. On the Multifinger Turn-On Instability in Drain Extended Vertically Stacked Nanosheet FETs Under ESD Stress Conditions;IEEE Transactions on Electron Devices;2024-02
2. Heterogeneous 3-D Sequential CFETs With Ge (110) Nanosheet p-FETs on Si (100) Bulk n-FETs;IEEE Transactions on Electron Devices;2024-01
3. A Modeling Study of Stacked Cu-CNT TSV on Electrical, Thermal, and Reliability Analysis;IEEE Transactions on Electron Devices;2024-01
4. Performance Comparison of Nanosheet FET, CombFET, and TreeFET: Device and Circuit Perspective;IEEE Access;2024
5. Hole Mobility Boosters of (110)-Oriented Extremely Thin Body SiGe-on- Insulator (SGOI) pMOSFETs;IEEE Transactions on Electron Devices;2023-07
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