Design of a 0.7GHz to 3GHz High-Linearity Drive Amplifier
Author:
Affiliation:
1. Hangzhou Institute of Technology, Xidian University,Hangzhou,China,311200
2. The 36th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Jiaxing,China,31400
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10380804/10380975/10381410.pdf?arnumber=10381410
Reference6 articles.
1. A 700MHz to 2.5GHz Cascode GaAs Power Amplifier for Multi-Band Pico-Cell Achieving 20dB Gain, 40dBm to 45dBm OIP3 and 66% Peak PAE
2. A Low Power Inductorless Wideband LNA With GmEnhancement and Noise Cancellation
3. A 50 MHz to 6 GHz 1-Watt GaAs pHEMT Stacked Distributed Power Amplifier
4. CMOS Saturated Power Amplifier With Dynamic Auxiliary Circuits for Optimized Envelope Tracking
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