A W-Band Balanced Power Amplifier in 0.1-μm GaAs PHEMT Process
Author:
Funder
National Natural Science Foundation of China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9359914/9359917/09359958.pdf?arnumber=9359958
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1. Design of a W-band High-PAE Class A & AB Power Amplifier in 150 nm GaAs Technology;Transactions on Electrical and Electronic Materials;2024-02-10
2. Design of a 75-85 GHz Driver Amplifier in 0.1-μm Gallium Arsenide pHEMT Technology;2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC);2023-12-05
3. An 82 - 98 GHz medium power amplifier in a 0.1-µm GaAs pHEMT process;2023 5th Australian Microwave Symposium (AMS);2023-02-16
4. A Broadband E-band Driver Amplifier in 0.1 μm GaAs pHEMT Technology;2022 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS);2022-08-12
5. W-Band Coplanar Medium Power Amplifier;2021 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC);2021-11-28
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