A 19.1-dBm Fully-Integrated 24 GHz Power Amplifier Using 0.18-¿m CMOS Technology

Author:

Kuo Jing-Lin,Tsai Zuo-Min,Wang Huei

Publisher

IEEE

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1. Analysis and design of power-controllable CMOS class E RF-tuned power amplifiers;IET Power Electronics;2012

2. High power density SiGe millimeter-wave power amplifiers;International Journal of Microwave and Wireless Technologies;2011-07-01

3. A 22.5-dB gain, 20.1-dBm output power K-band power amplifier in 0.18-µm CMOS;2010 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium;2010

4. Design and evaluation of 20-GHz power amplifiers in 130-nm CMOS;International Journal of Microwave and Wireless Technologies;2009-06-19

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