A W-Band Low-Noise Amplifier in 50-nm InP HEMT Technology
Author:
Affiliation:
1. Oklahoma State Univ.,Stillwater,OK,USA
2. Kyungpook National Univ.,Daegu,Korea
3. QSI Inc.,Cheonan,Korea
Funder
National Research Foundation
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10193881/10194256/10194275.pdf?arnumber=10194275
Reference8 articles.
1. A 4.7 mW W-Band LNA with 4.2 dB NF and 12 dB Gain Using Drain to Gate Feedback in 45nm CMOS RFSOI Technology
2. Comparison of two W-band low-noise amplifier MMICs with ultra low power consumption based on 50nm InGaAs mHEMT technology
3. 35nm InP HEMT LNAs at E/W-Band Frequencies
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5. W-Band LNA MMICs Based on a Noise-Optimized 50-nm Gate-Length Metamorphic HEMT Technology
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