Tuning the luminescence emission in III-V self-forming quantum dots: influence of structure, material system and dot/barrier interface
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IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/6363/17022/00785106.pdf?arnumber=785106
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1. Extremely uniform InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.46 mkm at room temperature grown by MOCVD with Bi doping;Springer Proceedings in Physics;2001
2. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs;Nanotechnology;2000-10-17
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