A W-band High-gain Low-noise Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS for Millimeter-wave Radar Application
Author:
Affiliation:
1. China Academy of Engineering Physics,Microsystem and Terahertz Research Center,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10616250/10617814/10618701.pdf?arnumber=10618701
Reference6 articles.
1. A SiGe BiCMOS W-Band LNA with 5.1 dB NF at 90 GHz
2. A Passive W-Band Imaging Receiver in 65-nm Bulk CMOS
3. A 19.2 mW, ${> 45}~{\rm dB}$ Gain and High-Selectivity 94 GHz LNA in 0.13 $\mu{\rm m}$ SiGe BiCMOS
4. 69–78 GHz ESD‐protected SiGe BiCMOS PA with 30 dB automatic level control for mm‐wave 5G applications
5. Design and Characterization of $W$-Band SiGe RFICs for Passive Millimeter-Wave Imaging
1.学者识别学者识别
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